[发明专利]光电子半导体本体有效
| 申请号： | 200980140108.8 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102177595A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·恩格尔;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/38;H01L33/22;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李德山;周涛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出了一种光电子半导体本体，其具有半导体层序列(1)和第一电连接层(4)，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层(100)。半导体本体设计用于从前侧(2)发射电磁辐射。半导体层序列(1)具有至少一个开口(110)，其在从前侧(2)到与前侧(2)对置的背侧(3)的方向上完全穿透半导体层序列(1)。第一电连接层(4)设置在半导体本体的背侧(3)上，第一电连接层(4)的分段(40)从背侧(3)通过开口(110)朝着前侧(2)延伸并且覆盖半导体层序列(1)的前侧主面(10)的第一部分区域(11)。前侧主面(10)的第二部分区域(12)未被第一电连接层(4)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 本体 | ||
【主权项】：
一种光电子半导体本体，其具有半导体层序列(1)和第一电连接层(4)，该半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层(100)，其中‑半导体本体设计用于从前侧(2)发射电磁辐射，‑半导体层序列(1)具有开口(110)，该开口在从前侧(2)到与前侧(2)对置的背侧(3)的方向上完全穿透半导体层序列(1)，‑第一电连接层(4)设置在半导体本体的背侧(3)上，‑第一电连接层(4)的分段(40)从背侧(3)通过开口(110)朝着前侧(2)延伸并且覆盖半导体层序列(1)的前侧主面(10)的第一部分区域(11)，以及‑前侧主面(10)的第二部分区域(12)未被第一电连接层(4)覆盖。
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