[发明专利]用于硅淀积的外延反应器

摘要

一个实施方式提供了一种用于材料淀积的设备。所述设备包含反应腔以及一对承载器。每个承载器具有正面和背面，其中正面安装衬底。垂直定位的承载器的正面相互面对，且承载器的垂直边缘相互接触。所述设备还包含多个用于注入反应气体的气体喷嘴。可通过控制气体喷嘴而使得腔内气体流向能够交替。气体入口被配置为当气体入口不向窄通道注入反应气体时，注入包含以下中的至少一个的少量吹扫气体：HCl、SiCl4以及H2。所述设备包含位于反应腔之外的多个加热单元。加热单元布置成使得它们直接向承载器的背面辐射热能。

主权项

一种用于材料淀积的设备，其包括：反应腔，其使用对辐射能量透明的材料形成；一对承载器，其位于所述反应腔内，其中每个承载器具有正面和背面，其中所述正面安装多个衬底，其中所述承载器垂直定位成使得所述承载器的正面相互面对，且其中所述承载器的垂直边缘相互接触，从而在安装于不同承载器上的衬底之间形成大致封闭的窄通道；第一数目的气体喷嘴，其中所述第一数目的气体喷嘴的至少一个包含用于向所述窄通道注入反应气体的气体入口以及用于排出废气的气体出口，其中所述气体入口和所述气体出口耦合到不同的气体管线，其中所述气体入口和所述气体出口控制成使得所述窄通道中反应气体的流向可以交替，从而便于均匀的材料淀积，其中所述气体入口被配置为当在材料淀积期间所述气体入口不向所述窄通道注入反应气体时，注入预定的少量吹扫气体，从而防止在所述气体入口周围的材料淀积，以及其中所述吹扫气体包含以下中的至少一个：HCl、SiCl4以及H2；以及多个加热单元，其位于所述反应腔之外，其中所述加热单元布置成使得它们直接向所述承载器的背面辐射热能。