[发明专利]用于减少功率半导体接通过程中电磁放射的方法和装置有效
| 申请号： | 200980140618.5 | 申请日： | 2009-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102177655A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | S·亨布格尔 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/16 | 分类号： | H03K17/16;H03K17/567 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李少丹;李家麟 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种用于在功率半导体(16)的接通过程中借助电流预控制(25)减少电磁放射的方法以及一种用于实施该方法的装置(10)，其中，功率半导体(16)这样控制负载(12)，使接通之后负载电流(IL、ID，3、ID，4)通过负载(12)和功率半导体(16)流动，其饱和值(ID，sat，3、ID，sat，4)确定功率半导体(16)的工作点，以及其中为负载电流(IL、ID，3、ID，4)不同的饱和值(ID，sat，3、ID，sat，4)产生功率半导体(16)的不同工作点。该方法的特征在于，通过电流预控制(25)预先规定的控制电流(IS、IG，3、IG，4)基本上划分成至少两个彼此相继的半波(44、46)，其中针对功率半导体(16)相当于负载电流(ID，3)的最高饱和值(ID，sat，3)的工作点，当负载电流(IL、ID，3)大致达到了其最大值(ID，max，3)时，在第一半波(44)后跟随另一半波(46)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 功率 半导体 接通 过程 电磁 放射 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种用于在功率半导体(16)的接通过程中借助电流预控制(25)减少电磁放射的方法，其中，所述功率半导体(16)控制负载(12)，使得在接通之后负载电流(IL、ID，3、ID，4)流过负载(12)和功率半导体(16)，所述负载电流的饱和值(ID，sat，3、ID，sat，4)确定所述功率半导体(16)的工作点，以及其中针对所述负载电流(IL、ID，3、ID，4)的不同饱和值(ID，sat，3、ID，sat，4)产生所述功率半导体(16)的不同工作点，其特征在于，通过电流预控制(25)预先规定的控制电流(IS、IG，3、IG，4)基本上划分成至少两个彼此相继的半波(44、46)，其中针对所述功率半导体(16)的相当于负载电流(ID，3)的最高饱和值(ID，sat，3)的工作点，当所述负载电流(IL、ID，3)大致达到了其最大值(ID，max，3)时，则在第一半波(44)之后跟随另一半波(46)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗伯特·博世有限公司，未经罗伯特·博世有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980140618.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：包括具有混合阳离子取代基的非纤维素多糖的清洁配方
- 下一篇：紧急开关
