[发明专利]石墨烯存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200980140804.9 | 申请日： | 2009-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102257610A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 巴巴罗斯·欧伊尔迈兹;郑毅;倪广信;杜志达 | 申请（专利权）人： | 新加坡国立大学 |
| 主分类号： | H01L21/8236 | 分类号： | H01L21/8236;G11C14/00;G11C15/04 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 新加坡新加*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种存储单元(10)，包括石墨烯层(16)，石墨烯层(16)具有代表存储单元(10)的数据值的可控电阻状态。在一个实例性的实施例中，通过使用铁电层(18)控制电阻状态来提供非易失性存储器。在实例性的实施例中，二进制“0”和“1”分别由石墨烯层(16)的低电阻状态和高电阻状态来代表，且这些状态由铁电层(18)的极化方向以非易失性方式进行切换。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 存储 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元，包括石墨烯层，所述石墨烯层具有代表所述存储单元的数据值的可控电阻状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
