[发明专利]电容器、电介质结构和形成电介质结构的方法有效
| 申请号： | 200980140913.0 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN102187440A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 诺埃尔·罗克莱恩;克里斯·M·卡尔森;戴夫·彼得森;杨村宇;普拉文·维迪阿纳坦;维什瓦纳特·巴特 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一些实施例包括电介质结构。所述结构包括彼此直接抵靠的第一部分和第二部分。所述第一部分可含有第一相与第二相的均质混合物。所述第一相可具有大于或等于25的介电常数，且所述第二相可具有小于或等于20的介电常数。所述第二部分可完全为具有大于或等于25的介电常数的单一组合物。一些实施例包括含有上述类型的电介质结构的电组件，例如，电容器和晶体管。一些实施例包括形成电介质结构的方法，且一些实施例包括形成电组件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电容器 电介质 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成电介质结构的方法，其包含：形成所述电介质结构的第一部分；所述第一部分包含含有第一相和第二相的均质混合物；所述第一相具有大于或等于25的介电常数，且所述第二相具有小于或等于20的介电常数；以及形成所述电介质结构的第二部分；所述第二部分直接抵靠所述第一部分；所述第二部分由具有大于或等于25的介电常数的组合物组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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