[发明专利]半导体光学元件阵列及其制造方法有效
| 申请号： | 200980141161.X | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102187479A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 岸野克巳;菊池昭彦;关口宽人 | 申请（专利权）人： | 学校法人上智学院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/205;H01S5/343 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 崔香丹;张永康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体光学元件阵列，其包括：具备形成有多个凹部的主面的半导体基板；形成于前述半导体基板的该主面上并且具备分别在前述多个凹部的正上方的多个开口部的掩模图案；从前述多个凹部出发，通过前述多个开口部，向前述掩模图案的上方生长的由III族氮化物半导体构成的多个微细柱状晶体；分别在前述多个微细柱状晶体上生长的活性层；以及包覆前述各活性层的半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 元件 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体光学元件阵列，其包括：具备形成有多个凹部的主面的半导体基板；形成于前述半导体基板的该主面上并且具备分别设置于前述多个凹部的正上方的多个开口部的掩模图案；从前述多个凹部出发，通过前述多个开口部，向前述掩模图案的上方生长的由III族氮化物半导体构成的多个微细柱状晶体；分别在前述多个微细柱状晶体上生长的活性层或者光吸收层；以及包覆前述各活性层或者光吸收层的半导体层。
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