[发明专利]静电吸盘及其制造方法有效
申请号: | 200980141296.6 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN102187446A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 辰巳良昭;藤田隆仁;天满康之;藤泽博 | 申请(专利权)人: | 创意科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种静电吸盘,能够减少从基板吸附面向基板的污染物附着,能够最优地保持基板的接触面积并且高效地进行经由静电吸盘的冷却。该静电吸盘将由弹性材料构成的具备多个凸部的弹性吸附层设为基板吸附面,并经由该弹性吸附层来吸附/保持基板,当将弹性吸附层中的凸部的高度设为h(m),将基板吸附面中的单位面积上的凸部的数量设为n(个/m2),将凸部中的顶面的面积设为A(m2),形成凸部的弹性材料的弹性率设为E(Pa),以吸附力F(Pa)来吸附/保持整体的平整度为Wh(m)的基板时,在吸附力F作用的方向上凸部收缩的量δ(m)满足下述关系式(1),且基板吸附面中的单位面积上的凸部顶面的总面积的比例ξ为10%以上,5Wh≥δ≥0.5Wh,δ=(h/nA)·(F/E)…(1)。 | ||
搜索关键词: | 静电 吸盘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种静电吸盘,将由弹性材料构成的具备多个凸部的弹性吸附层设为基板吸附面,并经过由该弹性吸附层来吸附/保持基板,该静电吸盘的特征在于,当将弹性吸附层中的凸部的高度设为h,将基板吸附面中的单位面积上的凸部的数量设为n,将凸部中的顶面的面积设为A,将形成凸部的弹性材料的弹性率设为E,以吸附力F来吸附/保持整体的平整度为Wh的基板时,以使在吸附力F作用的方向上凸部收缩的量δ满足下面的关系式(1)的方式形成弹性吸附层,且使基板吸附面中的单位面积上的凸部顶面的总面积的比例ξ为10%以上,5Wh≥δ≥0.5Wh,在此,δ=(h/nA)·(F/E)…(1)其中,各值的单位是各个括弧内所示的单位:Wh(m)、h(m)、n(个/m2)、A(m2)、E(Pa)、F(Pa)、δ(m)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于创意科技股份有限公司,未经创意科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980141296.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高频复合介质覆铜箔基片
- 下一篇:一种LED封装固晶结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造