[发明专利]生物兼容电极无效
| 申请号： | 200980142146.7 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102203935A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 罗埃尔·达门;马蒂亚斯·梅兹 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G01N27/403 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 通过沉积填充金属36并且将所述填充金属36回蚀至周围绝缘体30的表面来制造生物兼容电极。然后，另外的刻蚀在所述通孔32的顶部处形成凹槽38。然后沉积电极金属40并且对其回蚀以填充凹槽38，并且形成生物兼容电极42。这样，实现了平面生物兼容电极。刻蚀以形成凹槽的步骤可以在用于回蚀填充金属36的相同CMP工具中执行。可以使用双氧水刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 生物 兼容 电极 | ||
【主权项】：
一种在半导体器件上制造生物兼容电极的方法，所述半导体器件在至少一个金属化层上具有电介质层，所述方法包括：在所述电介质层中刻蚀通孔(32)，暴露出所述金属化层(28)；沉积填充金属(36)；使用化学机械抛光回蚀所述填充金属，以从所述电介质层的表面去除所述金属，并且留下所述通孔中的金属；执行另外的刻蚀以回蚀所述通孔中的填充金属(36)，以在所述通孔中形成凹槽(38)；在所述电介质的表面上以及所述通孔中的凹槽中沉积电极金属(40)；以及使用化学机械抛光回蚀所述电极金属(40)，以从所述电介质层的表面去除所述电极金属，并且留下所述通孔中的电极金属，以形成所述生物兼容电极(42)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
