[发明专利]单晶金属纳米盘及其制备方法有效
| 申请号： | 200980142224.3 | 申请日： | 2009-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN102216203A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 金峯秀;刘永栋 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术院 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种使用金属、金属卤化物或其混合物作为前体制备金属纳米盘的方法，其中，在惰性气体流动条件下，通过在包括金属、金属卤化物或其混合物并且放置于反应器前部的前体以及放置于反应器后部的单晶基片上进行热处理而在单晶基片上制备单晶金属纳米盘。可以使用无需任何催化剂的气相传输工艺来制备几个微米尺寸的贵金属纳米盘，该工艺是简单且可重现的，制得的纳米盘是具有高结晶度和高纯度并且没有二维缺陷和杂质的单晶金属纳米盘，可以通过控制单晶基片的表面方向来控制金属纳米盘的形态和金属纳米盘相对于基片的方向，并且可以大量生产几个微米尺寸的金属纳米盘。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶金属纳米盘的制备方法，其中，在惰性气体流动条件下，通过在包括金属、金属卤化物或其混合物并且放置于反应器的前部的前体以及放置于所述反应器的后部的单晶基片上进行热处理而在所述单晶基片上制备所述单晶金属纳米盘。
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