[发明专利]红外线传感器无效
| 申请号： | 200980142269.0 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102197290A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 辻幸司;萩原洋右;牛山直树 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | G01J1/02 | 分类号： | G01J1/02;H01L27/14;H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 朱胜;李春晖 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 公开了一种红外线传感器(1)，其包括基体(10)和设置在基体(10)的一个表面侧上的红外线检测元件(3)。红外线检测元件(3)包括：薄膜红外线吸收构件(33)，其吸收红外线光；温度检测构件(30)，其检测红外线吸收构件(33)和基体(10)之间的温度差；以及保护膜(39)。红外线吸收构件(33)布置在基体(10)的一个表面侧上，以便在红外线吸收构件(33)和基体(10)之间提供隔热空间。温度检测构件(30)包括p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)以及连接层(36)，其中，p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)被形成为跨越红外线吸收构件(33)和基体(10)，连接层(36)在红外线吸收构件(33)上电连接p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)。保护膜(39)是设置在红外线吸收构件(33)中的红外线入射表面上以便覆盖该红外线入射表面的多晶硅膜，该红外线入射表面是远离基体(10)的平面。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 传感器 | ||
【主权项】：
一种红外线传感器，包括：基体；以及在所述基体的表面上方形成的红外线检测元件，其中，所述红外线检测元件包括：薄膜形式的红外线吸收构件，所述红外线吸收构件被配置为吸收红外线，并且所述红外线吸收构件与所述基体的所述表面间隔开以便隔热；温度检测构件，被配置为测量所述红外线吸收构件和所述基体之间的温度差，并且所述温度检测构件包括热电偶，所述热电偶包括p型多晶硅层、n型多晶硅层和连接层，所述p型多晶硅层形成在所述红外线吸收构件和所述基体上方，所述n型多晶硅层形成在所述红外线吸收构件和所述基体上方且不与所述p型多晶硅层接触，并且所述连接层被配置为将所述p型多晶硅层电连接到所述n型多晶硅层；以及保护膜，被配置为在形成所述p型多晶硅层和所述n型多晶硅层时，用于保护所述红外线吸收构件，并且防止所述红外线吸收构件弯曲，所述保护膜是形成在红外线入射表面上、用于覆盖所述红外线入射表面的多晶硅层，所述红外线入射表面被定义为所述红外线吸收构件的与所述基体相对的表面。
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