[发明专利]红外线传感器无效
| 申请号： | 200980142432.3 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102197291A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 辻幸司;萩原洋右;牛山直树 | 申请（专利权）人： | 松下电工株式会社 |
| 主分类号： | G01J1/02 | 分类号： | G01J1/02;H01L27/14;H01L35/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李春晖;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 红外线传感器(1)包括基底(10)、以及在基底(10)的表面上形成的红外线检测元件(3)。红外线检测元件(3)包括薄膜形式的被配置为吸收红外线的红外线吸收构件(33)、以及被配置为测量红外线吸收构件(33)与基底(10)之间的温度差的温度检测构件(30)。温度检测构件(30)包括：在红外线吸收构件(33)和基底(10)上形成的p型多晶硅层(35)，在红外线吸收构件(33)和基底(10)上形成而不与p型多晶硅层(33)接触的n型多晶硅层(34)，以及被配置为将p型多晶硅层(35)电连接到n型多晶硅层(34)的连接层(36)。p型多晶硅层(35)和n型多晶硅层(34)中的每一个具有1018到1020cm-3范围内的杂质浓度。p型多晶硅层(35)具有λ/4n1p的厚度，其中，λ表示要由红外线检测元件(3)检测的红外线的中心波长，n1p表示p型多晶硅层(35)的反射率。n型多晶硅层(34)具有λ/4n1n的厚度，其中，n1n表示n型多晶硅层(34)的反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 传感器 | ||
【主权项】：
一种红外线传感器，包括：基底；以及红外线检测元件，在所述基底的表面上形成，其中，所述红外线检测元件包括：薄膜形式的红外线吸收构件，被配置为吸收红外线并且与所述基底的所述表面分隔以便热绝缘；以及温度检测构件，被配置为测量所述红外线吸收构件与所述基底之间的温度差，并且包括热电偶，所述热电偶包括p型多晶硅层、n型多晶硅层和连接层，所述p型多晶硅层形成在所述红外线吸收构件和所述基底上，所述n型多晶硅层形成在所述红外线吸收构件和所述基底上而不与所述p型多晶硅层接触，所述连接层被配置为把所述p型多晶硅层电连接到所述n型多晶硅层，所述p型多晶硅层和所述n型多晶硅层中的每一个都具有1018至1020cm‑3范围内的杂质浓度，所述p型多晶硅层的厚度为λ/4n1p，其中，λ表示要由所述红外线检测元件检测的红外线的中心波长，n1p表示所述p型多晶硅层的反射率，以及所述n型多晶硅层的厚度为λ/4n1n，其中，n1n表示所述n型多晶硅层的反射率。
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