[发明专利]气体洗涤装置及气体洗涤方法无效
| 申请号： | 200980142536.4 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102217041A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 金翼年;池映渊 | 申请（专利权）人： | 株式会社三重核心韩国 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京华夏博通专利事务所 11264 | 代理人： | 刘俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种气体洗涤装置及气体洗涤方法。本发明的气体洗涤装置包括：一反应管，反应气体通过该反应管流入；一反应器，连接到所述反应管且将所述流入的反应气体转变为等离子体；以及一注水口，用于将水注入反应器中的等离子体。使得非常经济地执行气体洗涤，因为等离子体的热源用于蒸发水。此外，因为将水在排放反应气体等离子体的优化区域内直接蒸发洗涤反应气体，也提高了气体洗涤效率。 | ||
| 搜索关键词： | 气体 洗涤 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种气体洗涤装置，其特征在于，该装置包括：一反应管，一反应气体通过该反应管流入；一反应器，连接至该反应管并以等离子体激活该反应气体；以及一注水口，将水注入该反应器中的该等离子体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社三重核心韩国，未经株式会社三重核心韩国许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980142536.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
