[发明专利]对铁电MIM电容器的非对称电容滞后的产生和使用有效
申请号: | 200980142722.8 | 申请日: | 2009-10-24 |
公开(公告)号: | CN102197482A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 阿尔瑙德·劳伦·罗塞特;马雷克·克莱;吕迪格·冈特·毛佐克;克劳斯·赖曼;麦克尔·约伦 | 申请(专利权)人: | NXP股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G11C11/56;H01L27/115 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王波波 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明涉及一种电部件,包括:至少一个第一MIM电容器,具有第一电极材料的第一电容器电极与第二电极材料的第二电容器电极之间的介电常数至少为100的铁电绝缘层。第一电极材料和第二电极材料被选择为使得第一MIM电容器根据第一电极与第二电极之间可施加的DC电压表现出非对称电容滞后,所述非对称电容滞后使第一MIM电容器在没有DC电压的情况下根据最后施加到电容器的切换电压的极性而采用至少两个可能的不同电容值之一,所述切换电压具有大于阈值电压量的量。本发明还适用于ESD传感器、存储器和高频设备。 | ||
搜索关键词: | mim 电容器 对称 电容 滞后 产生 使用 | ||
【主权项】:
一种电部件(600),包括:‑至少一个第一MIM电容器(100,602),具有在第一电极材料的第一电容器电极(114,602.1)与第二电极材料的第二电容器电极(122,602.2)之间的介电常数至少为100的铁电绝缘层(116);其中‑第一电极材料和第二电极材料被选择为使得第一MIM电容器根据第一电极与第二电极之间可施加的DC电压表现出非对称电容滞后,所述非对称电容滞后使第一MIM电容器在没有DC电压的情况下根据最后施加到电容器的切换电压的极性而采用至少两个可能的不同电容值(C1,C2)之一,所述切换电压具有大于阈值电压量值的量值;‑电路(606至610),操作可连接至MIM电容器(600),并且被配置为产生和提供输出信号,所述输出信号取决于在所述至少一个第一电容器上没有DC电压的情况下或者在所述至少一个第一MIM电容器上有一定量的DC电压的情况下所采用的第一MIM电容器的电容值,所述一定量的DC电压小于与第一MIM电容器的铁电绝缘层相关联的正矫顽电压与负矫顽电压之间的电压差的四分之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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