[发明专利]三元化合物的气相沉积方法无效
| 申请号： | 200980142960.9 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102197459A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 赛沙德利·甘古利;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;柳尚澔;路易斯·菲利浦·哈基姆 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施例提供了一种用于在气相沉积工艺如原子层沉积(ALD)或等离子体增强ALD(PE-ALD)期间形成氮化铝钛材料的方法。在一些实施例中，通过将衬底顺次暴露于钛前体和氮等离子体以形成氮化钛层、将氮化钛层暴露于等离子体处理工艺、以及将氮化钛层暴露于铝前体气体同时在其上面沉积铝层，来形成氮化铝钛材料。可重复该工艺多次以沉积多个氮化钛和铝层。随后，可以将衬底退火以由多层形成氮化铝钛材料。在其他实施例中，可以通过将衬底顺次暴露于氮等离子体和包含钛和铝前体的沉积气体，来形成氮化铝钛材料。 | ||
| 搜索关键词： | 三元 化合物 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在衬底表面上形成氮化铝钛材料的方法，包括：在等离子体增强原子层沉积工艺期间，将衬底顺次暴露于钛前体气体和氮等离子体，以在衬底上形成氮化钛层；在处理工艺期间，将所述氮化钛层暴露于等离子体；在气相沉积工艺期间，将所述氮化钛层暴露于铝前体气体，同时在其上面沉积铝层；以及顺次重复所述等离子体增强原子层沉积工艺、处理工艺和气相沉积工艺，以由所述氮化钛层和所述铝层形成氮化铝钛材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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