[发明专利]太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 200980143278.1 | 申请日: | 2009-09-07 |
公开(公告)号: | CN102203953A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 李大龙;金钟焕;权亨振 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;汤俏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 公开了一种太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括:第一导电类型的基板;位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层;电连接到所述射极层的第一电极;位于所述基板上的钝化层;位于所述钝化层上的第二电极导电层,所述第二电极导电层包括穿过所述钝化层而电连接到所述基板的至少一个第二电极;以及电连接到所述第二电极导电层的第二电极集流器。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,该太阳能电池包括:第一导电类型的基板;位于所述基板上的与所述第一导电类型相反的第二导电类型的射极层;电连接到所述射极层的第一电极;位于所述基板上的钝化层;位于所述钝化层上的第二电极导电层,所述第二电极导电层包括穿过所述钝化层而电连接到所述基板的至少一个第二电极;以及电连接到所述第二电极导电层的第二电极集流器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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