[发明专利]EUV光刻用反射型掩模坯料有效
| 申请号： | 200980143609.1 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102203906A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 林和幸 | 申请（专利权）人： | 旭硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F1/16 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有低反射层的EUV光刻用反射型掩模，所述低反射层对EUV和掩模图案的检查光的波长区为低反射率，进而满足掩模制造过程和图案转印过程所需要的在波长区(400～1200nm)的所期望的反射率(405nm：＜40％，600～650nm：30～50％，800～900nm：＞50％，1000～1200nm：＜90％)。一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和针对掩模图案的检查光(波长190～260nm)的低反射层，前述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)和氢(H)，在前述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。 | ||
| 搜索关键词： | euv 光刻 反射 型掩模 坯料 | ||
【主权项】：
一种EUV光刻用反射型掩模坯料，其特征在于，其在衬底上依次形成有用于反射EUV光的反射层、和用于吸收EUV光的吸收体层、和对掩模图案检查光为低反射的低反射层，其中所述检查光的波长为190～260nm，所述低反射层至少含有钽(Ta)、氧(O)和氢(H)，在所述低反射层中，Ta和O的总含有率为85～99.9at％，H的含有率为0.1～15at％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
