[发明专利]玻璃-陶瓷基绝缘体上半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200980143693.7 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN102203932A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | K·P·加德卡里;L·R·平克尼 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 沙永生 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝缘体上半导体结构，该结构包括：半导体部件，该半导体部件由基本单晶的半导体材料层和具有提高的氧含量的单晶半导体材料层组成；氧化物玻璃材料层；以及玻璃-陶瓷层。 | ||
| 搜索关键词： | 玻璃 陶瓷 绝缘体 上半 导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上半导体层状结构，其包括：半导体材料部件，其包括基本单晶的半导体材料层，以及具有提高的氧含量的单晶半导体材料层；氧化物玻璃材料层；和玻璃‑陶瓷层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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