[发明专利]使用定向剥落在绝缘体结构上形成半导体的方法和装置有效
| 申请号： | 200980143709.4 | 申请日： | 2009-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN102203933A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | S·切瑞克德简;J·S·希特斯;J·G·库亚德;R·O·马斯克梅耶;M·J·莫尔;A·尤森科 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 方法和装置提供了形成绝缘体上半导体(SOI)结构，包括：使施主半导体晶片的注入表面经历离子注入步骤以在界定施主半导体晶片的剥落层的横截面内形成削弱薄层，并使施主半导体晶片在注入步骤之前、之中或之后经历空间变化步骤以使削弱薄层的至少一个参数沿X轴和Y轴方向中的至少一个方向跨削弱薄层空间地变化。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 定向 落在 绝缘体 结构 形成 半导体 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种形成绝缘体上半导体(SOI)结构的方法，包括：使施主半导体晶片的注入表面经历离子注入步骤以在界定所述施主半导体晶片的剥落层的横截面内形成削弱薄层；以及在所述离子注入步骤之前、之中或之后使所述施主半导体晶片经历空间变化步骤，以使源于所述离子注入步骤的成核位点的密度沿X轴和Y轴方向中的至少一个方向跨削弱切片空间地变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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