[发明专利]电极电路、成膜装置、电极单元以及成膜方法无效
| 申请号： | 200980143808.2 | 申请日： | 2009-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN102203317A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 松本浩一;依田英德;冈山智彦;森冈和;矢岛太郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C16/509 | 分类号： | C23C16/509;H01L21/205;H01L31/04;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的电极电路为等离子体CVD用电极电路，包括：交流电源；匹配电路，连接于该交流电源；以及平行平板电极，由阳极电极与阴极电极组成的对构成，以所述阳极电极与所述阴极电极的电极面相对的方式配置所述阳极电极与所述阴极电极，所述匹配电路、所述平行平板电极、以及由所述平行平板电极生成的等离子体构成平衡电路。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 电路 装置 单元 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体化学气相沉积CVD用电极电路，其特征在于，包括：交流电源；匹配电路，连接于该交流电源；以及平行平板电极，由阳极电极与阴极电极组成的对构成，以所述阳极电极与所述阴极电极的电极面相对的方式配置所述阳极电极与所述阴极电极，所述匹配电路、所述平行平板电极、以及由所述平行平板电极生成的等离子体构成平衡电路。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
