[发明专利]具有圆形地对称于溅射靶材的RF及DC馈给的物理气相沉积反应器有效
申请号: | 200980143935.2 | 申请日: | 2009-10-02 |
公开(公告)号: | CN102203908A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | L·霍雷查克 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在顶壁处具有溅射靶材的PVD反应器中,包围旋转磁体组件的导电外壳具有一中央开口,以容纳该旋转磁体轴。该外壳的导电中空圆筒环绕着该轴的外部部份。射频功率源耦合至一径向射频(RF)连接杆,该射频连接杆从该中空圆筒径向地延伸出。直流功率源耦合至另一径向直流(DC)连接杆,该直流连接杆从该中空圆筒径向地延伸而出。 | ||
搜索关键词: | 具有 圆形 对称 溅射 rf dc 物理 沉积 反应器 | ||
【主权项】:
一种等离子体反应器,包括:反应腔室,其包含顶壁、溅射靶材及晶片支撑基座,该溅射靶材邻近该顶壁,该晶片支撑基座位于该腔室中且面对该溅射靶材;导电外壳,位于该顶壁上方且具有顶盖,该顶盖面对该顶壁;旋转磁体组件,其被容纳在该外壳中并且包含旋转轴、径向手臂组件及磁体,该径向手臂组件在其内端处耦合至该旋转轴,且该磁体耦合至该径向手臂组件的外端,该外壳的顶盖包含中央开口,该旋转轴轴向地延伸通过该中央开口;导电中空圆筒,位于该顶盖上并且围绕着该旋转轴延伸在该顶盖上方的一部份;径向射频连接杆,从该中空圆筒径向地延伸出;以及射频功率源,其包含射频产生器及射频阻抗匹配器,该阻抗匹配器连接至该射频连接杆的外端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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