[发明专利]带状粒子束用的质量分析磁铁有效
申请号: | 200980143988.4 | 申请日: | 2009-11-12 |
公开(公告)号: | CN102203914A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 维克多·M·本夫尼斯特;詹姆士·S·贝福;法兰克·辛克莱;约瑟·C·欧尔森 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种带状离子束质量分析器,具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态,界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场,供较宽的带状离子束进行质量解析,以产生想要的离子图像,其中离子是由离子源产生的。 | ||
搜索关键词: | 带状 粒子束 质量 分析 磁铁 | ||
【主权项】:
一种离子质量分析器,用来对穿行的带状离子束中的不同离子物种进行质量分析,且产生其图像,所述离子质量分析器包括:第一螺线管线圈,界定一个可供带状离子束从中穿过的空间,所述第一螺线管线圈配置成对应所施加的电流以在第一方向产生第一磁场,从而根据穿越所述第一螺线管线圈的所述空间的所述带状离子束中的每个离子的各别质量来改变与所述离子有关的轨迹;第二螺线管线圈,在所述第一螺线管线圈沿着所述穿行带状离子束的方向下游,且与所述第一螺线管线圈相隔一段距离“d”,所述第二螺线管线圈界定一个可供从所述第一螺线管线圈接收的所述带状离子束从中穿行的空间,所述第二螺线管线圈配置成对应所施加的电流以产生第二磁场,使得所述第二磁场与所述第一磁场方向相反,所述第二螺线管线圈经配置以根据来自所述第一螺线管线圈的所述带状离子束内的每个被接收的离子的各别质量来使所述离子的轨迹进一步弯曲;以及至少一个磁轭,所述磁轭具有第一凹槽与第二凹槽,所述第一凹槽经配置以收容所述第一螺线管线圈的一部分,且所述第二凹槽经配置以收容所述第二螺线管线圈的一部分,所述磁轭连接至所述第一螺线管线圈与所述第二螺线管线圈,以在所述磁轭、所述第一螺线管线圈以及所述第二螺线管线圈之间形成电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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