[发明专利]单片光伏模块无效
申请号: | 200980144488.2 | 申请日: | 2009-09-02 |
公开(公告)号: | CN102210027A | 公开(公告)日: | 2011-10-05 |
发明(设计)人: | K·伯尼恩克;S·刘 | 申请(专利权)人: | 联合太阳能奥佛有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民;张全信 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 由布置在基底上的多个串联连接光伏电池组成的光伏模块使用薄膜设备技术进行制造。由至少具有底电极层、光伏材料体和在其上支撑的顶电极层的导电性基底组成的光伏胚料体被形成图案,以限定多个单独、电绝缘的光伏电池和多个电绝缘连接区域。连接区域被形成图案以便每个包括底电极材料的部分,并且被构造使得在所述连接区域的每个区段中的底电极材料被暴露,并且与特定电池的底电极部分电通讯。集流栅极结构被布置在每个电池的顶电极上,并且被放置经过适当连接区域中的电极层与邻接电池的底电极是电通讯的。以这种方式,在电池之间的串联互连被建立。电接头可以附着于所述模块,并且最终模块可以在保护性材料体中封装。在模块的制造中使用的基底可以包括聚合材料的薄的挠性层,并且公开的技术可以用于制造超轻量的光伏模块。也公开了具体的模块结构。 | ||
搜索关键词: | 单片 模块 | ||
【主权项】:
制造包括至少两个串联互连的光伏电池的光伏模块的方法,所述方法包括下列步骤:提供光伏胚料体,所述胚料包括电阻基底、在所述基底上支撑的导电性材料的体组成的底电极层、由与所述底电极层叠加关系的导电性材料组成的顶电极层以及在所述底电极层和所述顶电极层之间插入的光伏体;所述光伏胚料的所述顶电极层通过去除其厚度的部分形成图案,以限定所述顶电极层的三个电绝缘的区段,第一区段包括与所述光伏体的下层部分配合的第一电池顶电极和底电极层以限定第一光伏电池,第二区段限定与所述光伏体的下层部分配合的第二电池顶电极和底电极层以限定第二光伏电池,和第三区段位于所述模块的连接区域之上;在所述光伏胚料中刻划第一和第二绝缘槽,每个绝缘槽延伸通过其所述顶电极层、所述光伏体和所述底电极层到所述基底,所述槽被布置以将所述连接区域分成彼此电绝缘的三个区段,每个区段进一步包括所述底电极层的部分,其中所述第一区段的底电极层的所述部分与所述第一光伏电池的所述底电极层的部分是邻接的并且电通讯的,并且所述第二区段的所述底电极层的所述部分与所述第二光伏电池的所述底电极层的部分是邻接的并且电通讯的;将第一集流栅极结构布置在所述第一光伏电池的所述第一电池顶电极之上,所述第一集流栅极结构也与所述连接区域的所述第二区段的所述底电极层的部分建立电通讯;将第二集流栅极结构布置在所述第二光伏电池的所述第二电池顶电极之上,所述第二集流栅极结构也与所述连接区域的所述第三区段的所述底电极层的部分建立电通讯;由此建立由所述第一光伏电池和所述第二光伏电池组成的串联连接串。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联合太阳能奥佛有限公司,未经联合太阳能奥佛有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980144488.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子像机和自动聚焦方法
- 下一篇:电源电路、电机装置及风扇
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的