[发明专利]用于分子结合的表面处理无效
| 申请号： | 200980144516.0 | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102209692A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 阿诺·卡斯泰;圭塔·戈丹;马塞尔·布勒卡特 | 申请（专利权）人： | S.O.I.技术(硅绝缘体技术)公司 |
| 主分类号： | C03C15/00 | 分类号： | C03C15/00;C03C17/22;C03C27/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李新红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明提供一种通过分子结合将第一衬底(210)结合在第二衬底(220)上的方法，所述方法包括下列步骤：在所述第一衬底(210)的结合面(210a)上形成绝缘体层(212)；将所述绝缘体层(212)化学-机械抛光；通过等离子体处理而活化所述第二衬底(220)的结合表面；和通过分子结合将所述两个衬底(210，220)结合在一起，所述方法的特征在于，它还包括：在所述化学-机械抛光步骤之后并且在所述结合步骤之前，蚀刻在所述第一衬底上形成的所述绝缘体层(212)的表面(212a)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分子 结合 表面 处理 | ||
【主权项】：
一种通过分子结合将第一衬底(210)结合在第二衬底(220)上的方法，所述方法包括下列步骤：·在所述第一衬底(210)的结合面(210a)上形成绝缘体层(212)；·将所述绝缘体层(212)化学‑机械抛光；·通过等离子体处理而活化所述第二衬底(220)的结合表面；和·通过分子结合将所述两个衬底(210，220)结合在一起，所述方法的特征在于，它还包括：在所述化学‑机械抛光步骤之后并且在所述结合步骤之前，蚀刻在所述第一衬底上形成的所述绝缘体层(212)的表面(212a)的步骤。
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