[发明专利]磁性膜附着体及其制造方法有效
| 申请号： | 200980144535.3 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN102209997A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 近藤幸一;小野裕司;沼田幸浩 | 申请（专利权）人： | NEC东金株式会社 |
| 主分类号： | H01F10/20 | 分类号： | H01F10/20;C01G49/00;C01G53/00;C23C18/00;H01F10/30;H01F41/24;H05K9/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在基体上附着磁性膜而成的磁性膜附着体的制造方法。该制造方法具备：准备基体的工序和在基体上形成包含交替地层叠的有机物膜及铁氧体膜的磁性膜的工序。在该制造方法中，形成磁性膜的工序交替地进行利用铁氧体镀膜法形成具有20μm以下的膜厚的铁氧体膜的工序和形成有机物膜的工序，该有机物膜是具有0.1μm以上20μm以下的膜厚的有机物膜，该有机物膜的膜厚t与杨氏模量E的比t/E为0.025μm/GPa以上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 附着 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种磁性膜附着体的制造方法，其特征在于，包括准备基体的工序、和在所述基体上形成包含交替地层叠的有机物膜及铁氧体膜的磁性膜的工序，所述形成磁性膜的工序交替地进行利用铁氧体镀膜法形成具有20μm以下的膜厚的铁氧体膜的工序和形成有机物膜的工序，所述有机物膜是具有0.1μm以上20μm以下的膜厚的有机物膜，该有机物膜的膜厚t与杨氏模量E的比t/E为0.025μm/GPa以上。
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