[发明专利]表面处理装置有效
| 申请号： | 200980145086.4 | 申请日： | 2009-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN102210014A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 梅冈尚;八木泽博史;真弓聪;佐藤崇;功刀俊介 | 申请（专利权）人： | 积水化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/304;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 陈平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了防止处理气体从用于处理被处理物表面的处理槽中泄漏，并稳定处理空间中的处理气体的流动。被处理物(9)由输送机(20)通过入口(13)输送到处理槽(10)的内部，并被定位处理空间(19)中。处理气体由供给系统(30)供给至处理空间(19)，并且对被处理物(9)进行表面处理。随后，通过出口(14)将被处理物(9)输送出。处理槽(10)内部的气体由排气系统(40)排出。气体的排出使处理槽(10)外面的气体通过开口(13，14)流入处理槽(10)的内部，使得流入气体的平均流速至少为0.1m/sec，但仍然小于将允许流入气体到达处理空间的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种表面处理装置，该表面处理装置通过使处理气体与被处理物的表面接触而处理该被处理物的所述表面，该装置包括：处理槽，具有入口和出口以及处理空间，所述处理空间设置在处理槽的内部，位于与入口和出口隔开的位置，用于进行表面处理；输送机，通过入口将被处理物输送到处理槽的内部，将被处理物定位在处理空间中，并且随后搬送被处理物通过出口；供给系统，将处理气体供给至处理空间；和排气系统，将气体从处理槽的内部排出，其中通过排气系统进行的气体的排出使处理槽外面的气体通过所述口流入处理槽的内部，使得流入气体的平均流速为至少0.1m/sec，但仍小于将允许流入气体到达处理空间的速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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