[发明专利]一种厚膜光刻胶清洗剂无效
| 申请号： | 200980145769.X | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN102209938A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 彭洪修 | 申请（专利权）人： | 安集微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;C11D1/66;H01L21/02;C23G1/06 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203 中国上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种厚膜光刻胶清洗剂，其含有二甲基亚砜、氢氧化钾、醇胺、烷基二醇芳基醚和聚丙烯酸类缓蚀剂，其中烷基二醇芳基醚中烷基二醇的碳原子数目为3～18。本发明的清洗剂可以除去金属、金属合金或电介质等基材上的厚膜光刻胶，尤其是100μm以上厚度的厚膜光刻胶，同时对铝和铜等金属以及二氧化硅等非金属材料具有很低的腐蚀性，使其对晶片图案和基材表现出很低的腐蚀性，且可在较宽的温度范围内使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 洗剂 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。
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