[发明专利]快速自由形式源和掩模共同优化方法有效
申请号: | 200980145873.9 | 申请日: | 2009-11-20 |
公开(公告)号: | CN102224459A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 陈洛祁;曹宇;叶军 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F7/20;G06F17/50 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及光刻设备和过程,尤其涉及用于优化用在光刻设备和过程中的照射源和掩模的工具。根据特定的方面,本发明通过允许直接计算成本函数的梯度,显著地加速了所述优化的收敛。根据其它的方面,本发明允许同时优化源和掩模,由此显著地加速了整体的收敛。根据又一另外的方面,本发明允许自由形式的优化,且没有通过传统的优化技术所要求的限制。 | ||
搜索关键词: | 快速 自由 形式 共同 优化 方法 | ||
【主权项】:
一种用于优化光刻过程的方法,包括步骤:接收对照射源和掩模的描述,所述掩模包括光刻图案;和选择性地重复所述以下步骤直到所述源和掩模被同时对于所述光刻过程的过程窗口优化为止:形成作为所述照射源和掩模的函数的成本函数;计算所述成本函数的梯度,和依赖于所计算的梯度重新配置所述源和掩模描述。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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