[发明专利]处理装置无效
| 申请号： | 200980145914.4 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102217049A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 清水正裕 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/22;H01L21/268;H01L21/31;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种采用电磁波对被处理体(W)进行热处理的处理装置(2)，包括：具有规定长度的金属制的处理容器(4)；设置在处理容器的一端的搬出搬入口(6)，能够对搬出搬入口进行关闭和打开的关闭体(52，102)；从搬出搬入口被搬出和搬入处理容器内，对多块被处理体隔着规定的间隔进行保持，并且包括透过电磁波的材料的保持单元(42)；向处理容器内导入电磁波的电磁波供给单元(14)，向处理容器内导入所需气体的气体导入单元(22)和对处理容器内的气氛进行排气的排气单元(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
一种采用电磁波对被处理体实施热处理的处理装置，其特征在于，包括：具有规定长度的金属制的处理容器；设置在所述处理容器的一端的搬出搬入口；能够关闭和打开所述搬出搬入口的关闭体；保持单元，其从所述搬出搬入口被搬出和搬入所述处理容器内，对多块所述被处理体隔着规定的间隔进行保持，并包括透过电磁波的材料；向所述处理容器内导入电磁波的电磁波供给单元；向所述处理容器内导入所需气体的气体导入单元；和对所述处理容器内的气氛进行排气的排气单元。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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