[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 200980145944.5 | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102217102A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 崔繁在;李相范;李进馥;金裕承;宋尚烨 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;薛义丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在半导体发光器件中，发光结构包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。第二导电类型电极包括导电通孔和电连接部分。导电通孔穿过第一导电类型半导体层和活性层，并连接到第二导电类型半导体层的内部。电连接部分从导电通孔延伸，并暴露于发光结构的外部。绝缘体使第二导电类型半导体层与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离。钝化层形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面。不平坦结构形成在从活性层发射的光的通路上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：导电基底；发光结构，包括顺序形成在导电基底上的第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第二导电类型电极，所述第二导电类型电极包括：导电通孔，穿过第一导电类型半导体层和活性层并连接到第二导电类型半导体层的内部；电连接部分，从导电通孔延伸并暴露到发光结构的外部；绝缘体，使第二导电类型电极与导电基底、第一导电类型半导体层和活性层电分离；钝化层，形成为至少覆盖发光结构中的活性层的侧表面；不平坦结构，形成在从活性层发射的光的通路上。
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