[发明专利]ZnO-SnO2-In2O3类氧化物烧结体及非晶质透明导电膜有效
| 申请号： | 200980146255.6 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102216237A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 宇都野太;井上一吉;后藤健治 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/457 | 分类号： | C04B35/457;C04B35/453;C23C14/08;C23C14/34;H01B5/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氧化物烧结体的制造方法，其包括：(a)将含有Zn、Sn及In的原料化合物粉末混合制备混合物的工序，(b)将上述混合物成形，制备成形体的工序，(c)将上述成形体在1000℃以上且不足1300℃的温度中烧结0小时以上的工序，及(d)将上述烧结的成形体进一步在1300℃以上且不足1500℃的温度中烧结2小时以上的工序。 | ||
| 搜索关键词： | zno sno sub in 氧化物 烧结 非晶质 透明 导电 | ||
【主权项】：
一种氧化物烧结体的制造方法，其包括：(a)将含有Zn、Sn及In的原料化合物粉末混合而制备混合物的工序；(b)将所述混合物成形而制备成形体的工序；(c)将所述成形体在1000℃以上且不足1300℃的温度中烧结0小时以上的工序；及(d)将经所述烧结后的成形体进一步在1300℃以上且不足1500℃的温度中烧结2小时以上的工序。
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