[发明专利]低耦合氧化物介质(LCOM)无效
| 申请号： | 200980146470.6 | 申请日： | 2009-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN102216986A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | E·戈特;H·J·瑞切特;M·蒙特亚努;T·P·诺兰 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/64 | 分类号： | G11B5/64;G11B5/66;G11B5/73 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭辉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及低耦合垂直磁性记录介质，其包含磁性存储层和至少一个低饱和磁化层。所述磁性存储层的饱和磁化强度约为400-900emu/cm3。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 氧化物 介质 lcom | ||
【主权项】：
一种低耦合垂直磁性记录介质，它包括：磁性存储层，和至少一个低饱和磁化强度层，其中，所述磁性存储层的饱和磁化强度约为400‑900emu/cm3，所述至少一个低饱和磁化强度层的饱和磁化强度低于磁性存储层的饱和磁化强度。
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