[发明专利]具有缆线平板的整合电容器有效
申请号: | 200980146568.1 | 申请日: | 2009-10-23 |
公开(公告)号: | CN102224567A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 派翠克·J··昆恩 | 申请(专利权)人: | 吉林克斯公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L27/02;H01L27/08;H01G4/228;H01G4/30;H01L23/528;H01L23/522 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 黄灿;刘伟 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种于集成电路(IC)中的电容器(200)具有:形成于集成电路的一第一图案化金属层的一分配栅格(226)与连接至分配栅格且沿着一第一方向延伸而离开分配栅格的一第一垂直传导丝线(202)。一第二垂直传导丝线(203)连接至分配栅格且于相反方向延伸。第一与第二栅格平板(225、224)形成于第一图案化金属层的上方与下方的金属层。栅格平板环绕第一与第二垂直传导丝线。分配栅格、第一垂直传导丝线与第二垂直传导丝线连接且形成电容器的一第一节点的一部分,第一栅格平板与第二栅格平板连接且形成电容器的一第二节点的一部分。 | ||
搜索关键词: | 具有 缆线 平板 整合 电容器 | ||
【主权项】:
一种于集成电路(IC)中的电容器,包含:一分配栅格,形成于该集成电路的一第一图案化金属层;一第一垂直传导丝线,连接至该分配栅格且沿着一第一方向延伸而离开该分配栅格;一第二垂直传导丝线,连接该分配栅格且沿着相对该第一方向的一第二方向延伸而离开该分配栅格;一第一栅格平板,形成于邻近于该第一图案化金属层的一第二图案化金属层,该第一栅格平板环绕于该第二图案化金属层的该第一垂直传导丝线;一第二栅格平板,形成于邻近于该第一图案化金属层的一第三图案化金属层,该第一图案化金属层配置于该第二图案化金属层与该第三图案化金属层之间,该第二栅格平板环绕于该第三图案化金属层的该第二垂直传导丝线,其中,该分配栅格、该第一垂直传导丝线与该第二垂直传导丝线连接且形成该电容器的一第一节点的一部分,且该第一栅格平板与该第二栅格平板连接且形成该电容器的一第二节点的一第一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造