[发明专利]贴合晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200980147233.1 | 申请日： | 2009-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN102224568A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 石塚徹;小林德弘;能登宣彦 | 申请（专利权）人： | 信越半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 朴海今;向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种贴合晶片的制造方法，包括：在结合晶片内部形成离子注入层的步骤；直接或经由氧化膜使结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面密接的步骤；以离子注入层为界来使结合晶片剥离的热处理步骤；其特征在于：通过在小于500℃的温度下进行预退火，然后在500℃以上的温度下进行剥离热处理，来进行使结合晶片剥离的热处理步骤，通过至少在第1温度下进行热处理后，在高于第1温度的第2温度下进行热处理来进行预退火。由此，提供一种高品质贴合晶片的制造方法，在采用智能剥离法(注册商标)制作贴合晶片时，在比剥离产生温度低的温度下，形成贴合强度高的状态，而制造出以减少缺陷为中心的高品质贴合晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 贴合 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种贴合晶片的制造方法，至少包括：从由单晶硅所构成的结合晶片的表面，离子注入氢离子和稀有气体离子中的至少一种气体离子而在晶片内部形成离子注入层的步骤；直接或经由氧化硅膜使所述结合晶片的注入有离子的表面与基体晶片的表面密接的步骤；以及以所述离子注入层为界来使结合晶片剥离的热处理步骤；其特征在于：通过在小于500℃的温度下进行预退火，然后在500℃以上的温度下进行剥离热处理，来进行所述使结合晶片剥离的热处理步骤，通过至少在第1温度下进行热处理后，在高于第1温度的第2温度下进行热处理来进行所述预退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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