[发明专利]在设置有层的半导体衬底上制造金属接触部的方法

摘要

本发明涉及一种用于在半导体器件上制造导电的金属接触部的方法，其在表面侧在半导体衬底（12）上具有层（20）。为了在良好的机械强度的情况下出现小的过渡电阻，提出了如下方法步骤：－施加包含颗粒的液体到层上，其中颗粒至少包含金属颗粒和玻璃料，－将液体完全硬化，同时通过热处理在衬底（12）中构建金属区域（26，28），－去除被完全硬化的液体，包括层的被液体覆盖的区域，－为了形成接触部，从溶液中无中间层地沉积导电材料（18）到半导体器件的区域中，在这些区域中去除了层，同时将衬底（12）中在这些区域中存在的金属区域（26，28）导电连接。

主权项

一种用于在半导体器件如太阳能电池上制造至少一个尤其是带状的导电的金属接触部的方法，该半导体器件在表面侧在半导体衬底上具有层、如介电层、如钝化层，所述方法包括以下方法步骤：‑线状、带状和/或点状地施加液体到该层上，该液体至少包含金属构成的颗粒和玻璃料构成的颗粒，‑通过热处理将液体完全硬化，同时：    ‑‑通过烧结金属颗粒来构建连贯的金属结构，    ‑‑在金属结构和半导体衬底之间构建玻璃层，以及    ‑‑在半导体衬底中构建金属区域，这些金属区域通过玻璃层与半导体衬底上的金属结构分离，‑通过刻蚀去除进行分离的玻璃层，并且由此同时去除金属结构，而并不去除生长到该半导体衬底中的金属区域，‑为了形成所述至少一个导电接触部，从溶液中无中间层地沉积导电材料到该半导体器件的生长至该半导体器件中的金属区域上，在其上已去除了玻璃层和金属结构层，同时将衬底中在这些区域中存在的金属区域导电连接。