[发明专利]光伏电池有效
| 申请号： | 200980147610.1 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102227816A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | J·罗伯茨 | 申请（专利权）人： | 广达索尔有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/18;H01L31/075 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;张旭东 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 本发明涉及用于太阳能电池内一体光生伏打结的本征区的多量子阱(MQW)结构，该光生伏打结与GaAs或Ge基本上晶格匹配。所公开的MQW包含位于InGaP势垒之间由四元InGaAsP形成的量子阱。 | ||
| 搜索关键词： | 电池 | ||
【主权项】：
一种包括光生伏打结的太阳能电池，该光生伏打结包括：第一体相半导体区和第二体相半导体区；以及设置在所述第一体相半导体区与所述第二体相半导体区之间的本征区，该本征区包括由四元InGaAsP形成的多个量子阱，在该四元InGaAsP中，In、Ga、As和P的相对比例使得InGaAsP在GaAs或锗的晶格常数的2％内晶格匹配，所述量子阱被量子势垒间隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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