[发明专利]磁记录介质及其制造方法以及磁记录再生装置有效

专利信息
申请号: 200980147723.1 申请日: 2009-12-01
公开(公告)号: CN102227771A 公开(公告)日: 2011-10-26
发明(设计)人: A.K.辛格;远藤大三;V.S.孔;陈小东 申请(专利权)人: 昭和电工HD新加坡有限公司
主分类号: G11B5/667 分类号: G11B5/667;G11B5/851
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 段承恩;田欣
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明涉及一种能够实现软磁性基底层的高磁导率和反铁磁性耦合这两者的磁记录介质等。即,本发明的磁记录介质,是在非磁性基板之上至少层叠使多个软磁性层反铁磁性耦合了的软磁性基底层和易磁化轴相对于上述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质,软磁性层以Fe为第1主成分,以Co为第2主成分,还含有Ta,软磁性基底层利用根据被夹在多个软磁性层之间的分隔层的厚度而变化的反铁磁性耦合力的第2个及其以后显现的峰来反铁磁性耦合,并且,其磁导率为1000H/m以上。
搜索关键词: 记录 介质 及其 制造 方法 以及 再生 装置
【主权项】:
一种磁记录介质,是在非磁性基板之上至少层叠使多个软磁性层反铁磁性耦合的软磁性基底层、和易磁化轴相对于所述非磁性基板主要垂直地取向的垂直磁性层而成的磁记录介质,其特征在于,所述软磁性层以Fe为第1主成分,以Co为第2主成分,还含有Ta,所述软磁性基底层利用根据被夹在所述多个软磁性层之间的分隔层的厚度而变化的反铁磁性耦合力的第2个及其以后显现的峰来反铁磁性耦合,并且,其磁导率为1000H/m以上。
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