[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200980148357.1 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102232248A | 公开（公告）日： | 2011-11-02 |
| 发明（设计）人： | 森本卓夫 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/06;H01L27/146;H01L29/732 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;安翔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其中双极晶体管具有高击穿电压成品率并且光接收元件具有高带宽和量子效率。光学半导体器件包括单片集成的晶体管和光接收元件。所述光接收元件包括p型半导体层、形成在所述p型半导体层上的n型外延层以及形成在所述n型外延层上的n型扩散层。所述n型扩散层在距离所述n型扩散层的表面0.12μm或更大的深度处具有的n型杂质浓度为3×1018cm-3或更小，在距离所述表面0.4μm或更小的深度处具有的n型杂质浓度为1×1016cm-3或更大，并且在距离所述表面0.8μm或更大的深度处具有的n型杂质浓度为1×1016cm-3或更小。所述p型半导体层和所述n型外延层之间的界面位于距离n型扩散层的表面0.9μm至1.5μm深度处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：晶体管；以及光接收元件，所述光接收元件与所述晶体管被单片集成，其中所述光接收元件包括：p型半导体层，n型外延层，所述n型外延层被形成在所述p型半导体层上，以及n型扩散层，所述n型扩散层被形成在所述n型外延层上，所述n型扩散层的n型杂质浓度在所述n型扩散层的表面下方0.12μm或更大的深度处为3×1018cm‑3或更小，在所述表面下方0.4μm或更小深度处为1×1016cm‑3或更大，并且在所述表面下方0.8μm或更大深度处为1×1016cm‑3或更小，以及所述p型半导体层和所述n型外延层之间的界面位于所述表面下方0.9μm至1.5μm深度处。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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