[发明专利]自组装单层膜作为氧化物抑制剂的应用无效
| 申请号： | 200980148472.9 | 申请日： | 2009-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN102239556A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | A·汉普;C·考博 | 申请（专利权）人： | 雷斯昂公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 柳冀 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 实施方案是针对形成自组装单层膜以减少氧化物形成的方法。该方法包括将抑制剂施加到包括导电触点的衬底上以及处理衬底和抑制剂以形成自组装单层膜。 | ||
| 搜索关键词： | 组装 单层 作为 氧化物 抑制剂 应用 | ||
【主权项】：
形成自组装单层膜以减少氧化物形成的方法，该方法包括：将抑制剂施加到包括导电触点的衬底上；和处理衬底和抑制剂以形成自组装单层膜。
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