[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200980148572.1 | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102239557A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 三河巧;川岛良男;姬野敦史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在低电压下稳定地发生电阻变化，适合微细化的电阻变化型非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：基板(100)；第一电极(101)；层间绝缘层(102)；形成于层间绝缘层的存储器单元孔(103)；第一电阻变化层(104a)，其形成于存储器单元孔的至少底部，与第一电极连接；第二电阻变化层(104b)，其形成于存储器单元孔(103)内的第一电阻变化层(104a)上；和第二电极(105)，第一电阻变化层(104a)和第二电阻变化层(104b)由同种金属氧化物构成，第一电阻变化层(104a)的氧含有率比第二电阻变化层(104b)的氧含有率高。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻变化型非易失性存储装置，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的第一电极；形成于所述基板和所述第一电极上的层间绝缘层；在所述第一电极上的所述层间绝缘层形成的存储器单元孔；第一电阻变化层，其形成于所述存储器单元孔的至少底部，与所述第一电极连接；第二电阻变化层，其形成于所述存储器单元孔的内部，形成于所述第一电阻变化层上；和第二电极，其覆盖所述第二电阻变化层，形成于所述层间绝缘层上，其中所述第一电阻变化层和所述第二电阻变化层含有同种金属氧化物，第一电阻变化层的氧含有率比第二电阻变化层的氧含有率高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
