[发明专利]制造衬底的方法有效
| 申请号： | 200980148590.X | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN102239541A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 斯科特·西里斯;古尔特杰·S·桑胡;安东·德维利耶 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/20;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造衬底的方法包括在衬底上形成隔开第一特征。将可变材料沉积于所述隔开第一特征上且用来自所述隔开第一特征的材料改变所述可变材料以在所述隔开第一特征的侧壁上形成经改变材料。将第一材料沉积于所述经改变材料上，且第一材料具有与所述经改变材料的组合物不同的某组合物。蚀刻所述第一材料以暴露所述经改变材料，且将包含所述第一材料的隔开第二特征形成于所述经改变材料的侧壁上。接着，从所述隔开第二特征与所述隔开第一特征之间蚀刻所述经改变材料。经由包含所述隔开第一特征及所述隔开第二特征的掩模图案处理所述衬底。本发明还揭示其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造衬底的方法，其包含：在衬底上形成隔开第一特征；在所述隔开第一特征上沉积可变材料，且用来自所述隔开第一特征的材料改变所述可变材料以在所述隔开第一特征的侧壁上形成经改变材料；在所述经改变材料上沉积第一材料，所述第一材料具有与所述经改变材料的组合物不同的某组合物；蚀刻所述第一材料以暴露所述经改变材料，且在所述经改变材料的侧壁上形成包含所述第一材料的隔开第二特征；在形成所述隔开第二特征之后，从所述隔开第二特征与所述隔开第一特征之间蚀刻所述经改变材料；及经由包含所述隔开第一特征及所述隔开第二特征的掩模图案处理所述衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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