[发明专利]半导体装置，半导体装置的制造方法，半导体基板，和半导体基板的制造方法有效
| 申请号： | 200980148632.X | 申请日： | 2009-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN102239549A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | 秦雅彦;福原升;山田永;高木信一;杉山正和;竹中充;安田哲二;宫田典幸;板谷太郎;石井裕之;大竹晃浩;奈良纯 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社;国立大学法人东京大学;独立行政法人产业技术综合研究所;独立行政法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/94 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，包含具有闪锌矿型的结晶结构的3-5族化合物半导体；与3-5族化合物半导体的(111)面、(111)面的等效的面，或，具有从(111)面或(111)面的等效的面倾斜的倾斜角的面接触的绝缘性材料；和与绝缘性材料接触且含有金属传导性材料的MIS型电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：3‑5族化合物半导体，其具有闪锌矿型的结晶结构；绝缘性材料，其接触于所述3‑5族化合物半导体的(111)面、与所述(111)面等效的面、或具有从所述(111)面或与所述(111)面等效的面倾斜的倾斜角的面；以及MIS型电极，其接触于所述绝缘性材料且含有金属传导性材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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