[发明专利]用于真空物理蒸汽沉积的室护罩有效
申请号: | 200980149156.3 | 申请日: | 2009-12-08 |
公开(公告)号: | CN102246270A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 李有明;杰弗里·比克迈尔 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L21/203 | 分类号: | H01L21/203 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种物理蒸汽沉积设备,包括具有侧壁的真空室、阴极、射频电源、基底支架和阳极以及护罩。阴极位于真空室的内部并被构造为包括靶体。射频电源被构造成向阴极施加功率。基底支架位于真空室的内部并与真空室的侧壁电绝缘。阳极位于真空室的内部并电连接至真空室的侧壁。护罩位于真空室的内部并电连接至真空室的侧壁,且包括环状体和从环状体延伸的多个同心环状凸起。 | ||
搜索关键词: | 用于 真空 物理 蒸汽 沉积 护罩 | ||
【主权项】:
一种物理蒸汽沉积设备,包括:真空室,所述真空室具有侧壁;阴极,所述阴极位于所述真空室内部,其中所述阴极构造为包括溅射靶体;射频电源,所述射频电源被构造为向阴极施加功率;基底支架,所述基底支架位于真空室的内部并与真空室的侧壁电绝缘;阳极,所述阳极位于真空室的内部并电连接至真空室的侧壁;和护罩,所述护罩位于真空室的内部并电连接至真空室的侧壁,其中所述护罩包括环状体和从环状体延伸的多个同心环状凸起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造