[发明专利]制造用于物理气相沉积P-型透明导电膜的靶的材料无效
| 申请号： | 200980149365.8 | 申请日： | 2009-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102245797A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 盖度·许贝里希茨;格里艾特·德里斯;达安·格德米;迈克尔·诺兰;西蒙·D·埃利奥特 | 申请（专利权）人： | 尤米科尔公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C01F11/02;C01G3/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张颖;樊卫民 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明记载了用于制造p-型透明导电薄膜的靶的粉末状氧化物材料(MxM′y)Cu2+aO2+b，其中-0.2≤a≤0.2，-0.2≤b≤0.2，并且-M′为Sr，M为Ba和二价Cu中的一种或两种，x＞0，y＞0并且x+y＝1±0.2；或者-M为二价Cu，x＝1±0.2，且y＝0。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 物理 沉积 透明 导电 材料 | ||
【主权项】：
用于制造p‑型透明导电薄膜的靶的粉末状氧化物材料(MxM′y)Cu2+aO2+b，其中‑0.2≤a≤0.2，‑0.2≤b≤0.2，并且‑M′为Sr，M为Ba和二价Cu中的一种或两种，x＞0、y＞0，并且x+y＝1±0.2；或者‑M为二价Cu，x＝1±0.2，并且y＝0。
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