[发明专利]具有改进的空间模式的高功率VCSEL有效
| 申请号： | 200980149700.4 | 申请日： | 2009-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102246367A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | J.S.科尔布;M.米勒;S.温特施泰因;U.恩斯特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/065 | 分类号： | H01S5/065;H01S5/183;H01S5/42;B41J2/455;G06K15/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 景军平;刘鹏 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种VCSEL装置，其包括布置于第一DBR(9)与第二DBR(7)之间的光学增益介质(8)。第一DBR和第二DBR形成激光腔且被设计成允许所述激光腔中的自容式激光发射，所述第二DBR(7)对于在激光腔中谐振的激光辐射是部分透明的。光学元件布置于激光腔的光轴上激光腔外的第二5DBR(7)的侧部上。光学元件具有朝向第二DBR(7)的凹表面(5)且凹表面(5)被设计成将透过第二DBR(7)发射的激光辐射的一部分反射回到激光腔内。凹表面(5)的曲率半径R与凹表面(5)和增益介质(8)之间的距离d的比值R/d在1与2之间的范围10内。利用所提出的VCSEL装置，实现了具有改进的模式分配和模式稳定性的高功率输出。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改进 空间 模式 功率 vcsel | ||
【主权项】：
一种VCSEL装置，其包括：光学增益介质(8)，其布置于第一DBR(9)与第二DBR(7)之间，所述第一、第二DBR(7,9)形成激光腔且被设计成允许所述激光腔中的自容式激光发射，且所述第二DBR(7)对于在所述激光腔中谐振的激光辐射是部分透明的；以及，光学元件，其布置于所述激光腔的光轴上所述激光腔外的所述第二DBR(7)的侧部上，所述光学元件具有朝向所述第二DBR(7)的凹表面(5)且凹表面(5)被设计成将透过所述第二DBR(7)发射的激光辐射的一部分反射回到所述激光腔内， 其中所述凹表面(5)的曲率半径R与所述凹表面(5)和所述增益介质(8)之间的距离d的比值R/d在1与2之间的范围内。
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