[发明专利]层叠有宽带隙半导体的复合基板的制造方法有效
| 申请号： | 200980150180.9 | 申请日： | 2009-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102246267A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 秋山昌次 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;冯丽欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造低成本结合晶片(8)的方法，该方法能使宽带隙半导体(1)的块状晶体尽量薄地转印到处理基板(3)上而不破坏基板。该方法是通过在处理基板(3)的表面上形成宽带隙半导体薄膜层(4)来制造结合晶片(8)，该方法包括以下步骤：从具有2.8eV以上的带隙的宽带隙半导体(1)的表面(5)注入离子来形成离子注入层(2)；对所述处理基板(3)的所述表面或所述宽带隙半导体(1)的所述离子注入表面(5)中的至少一个表面进行表面活化处理；结合所述宽带隙半导体(1)的所述表面(5)和所述处理基板(3)的所述表面来获得结合体(6)；对所述结合体(6)进行150℃-400℃的热处理；以及从所述结合体(6)的所述半导体基板(1)侧向所述宽带隙半导体(1)的所述离子注入层(2)照射可见光，以使所述离子注入层(2)的界面脆化，然后将所述宽带隙半导体薄膜层(4)转印到所述处理基板(3)上。 | ||
| 搜索关键词： | 层叠 宽带 半导体 复合 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种通过在处理基板的表面上形成宽带隙半导体膜来制造结合晶片的方法，所述方法包括以下步骤：从具有2.8eV以上的带隙的宽带隙半导体基板的表面注入离子来形成离子注入层；对所述处理基板的所述表面和所述宽带隙半导体基板的所述离子注入表面中的至少一个表面进行表面活化处理；结合所述宽带隙半导体基板的所述表面和所述处理基板的所述表面来获得结合基板；对所述结合基板进行150℃以上且400℃以下的热处理；以及使用可见光从所述结合基板的所述宽带隙半导体基板侧对所述宽带隙半导体基板的所述离子注入层进行照射，以使所述离子注入层的界面脆化，然后将所述宽带隙半导体膜转印到所述处理基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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