[发明专利]发光装置和具有至少一个这种发光装置的投影器有效
| 申请号： | 200980150254.9 | 申请日： | 2009-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN102246527A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 阿尔弗雷德·莱尔;松克·托茨;尤伟·斯特劳斯;马丁鲁道夫·贝林杰;斯蒂芬妮·布鲁宁戈夫;迪米特里·蒂尼;多米尼克·艾泽特;克里斯托夫·艾克勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H04N9/31 | 分类号： | H04N9/31 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在发光装置(1)的至少一个实施形式中，该发光装置包含：至少一个半导体激光器(2)，其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射(P)，其中包括边界值。此外，发光装置(1)包括至少一个转换装置(3)，其设置在半导体激光器(2)之后并且构建为将初级辐射(P)的至少一部分转换为具有与初级辐射(P)不同的更大波长的次级辐射(S)。由发光装置(1)发射的辐射(R)具有最高为50μm的光学相干长度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 具有 至少 一个 这种 投影 | ||
【主权项】：
一种发光装置(1)，具有：‑至少一个半导体激光器(2)，其构建为发射波长在360nm到485nm之间的初级辐射(P)，其中包括边界值，以及‑至少一个转换装置(3)，其设置在半导体激光器(2)之后并且构建为将初级辐射(P)的至少一部分转换为具有与初级辐射(P)不同的更大波长的次级辐射(S)，其中由发光装置(1)发射的辐射(R)具有最高为50μm的光学相干长度。
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