[发明专利]双极晶体管有效
| 申请号： | 200980150271.2 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102246283A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;大田一树 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/205;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种双极晶体管，包括衬底、集电极层、具有p导电型的基极层和具有n导电型的发射极层。所述集电极层形成在所述衬底上，并且包括第一氮化物半导体。具有p导电型的基极层形成在集电极层上，并且包括第二氮化物半导体。具有n导电型的发射极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底的表面的晶体生长方向与衬底的[0001]方向平行。第一氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1。在第一氮化物半导体中，在表面侧上的a轴的长度比在衬底侧上的a轴的长度长。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管，包括：衬底；集电极层，所述集电极层被构造为形成在所述衬底上，并且包括第一氮化物半导体；基极层，所述基极层具有p导电型，被构造为形成在所述集电极层上，并且包括第二氮化物半导体；以及发射极层，所述发射极层具有n导电型，被构造为形成在所述基极层上，并且包括第三氮化物半导体；其中，所述集电极层、所述基极层和所述发射极层形成为相对于所述衬底的表面的晶体生长方向与所述衬底的[0001]方向平行，其中，所述第一氮化物半导体包括：InycAlxcGa1‑xc‑ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1，并且其中，在所述第一氮化物半导体中，在表面侧上的a轴的长度比在衬底侧上的a轴的长度长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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