[发明专利]双极晶体管有效
| 申请号： | 200980150272.7 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102246284A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 安藤裕二;宫本广信;中山达峰;冈本康宏;井上隆;大田一树 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/205;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种双极晶体管，具有发射极层、基极层和集电极层。发射极层形成在衬底上，并且是包括第一氮化物半导体的n型导电层。基极层形成在发射极层上，并且是包括第二氮化物半导体的p型导电层。集电极层形成在基极层上，并且包括第三氮化物半导体。集电极层、基极层和发射极层形成为相对于衬底表面的晶体生长方向与[000-1]的衬底方向平行。第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1-xc-ycN(0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1)。第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比在衬底侧上的a轴长度短。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种双极晶体管，包括：衬底；n型发射极层，所述n型发射极层形成在所述衬底上方，并且包括第一氮化物半导体；p型基极层，所述p型基极层形成在所述发射极层上，并且包括第二氮化物半导体；以及集电极层，所述集电极层形成在所述基极层上，并且包括第三氮化物半导体；其中，所述集电极层、所述基极层和所述发射极层形成为相对于所述衬底的表面的晶体生长方向与所述衬底的[000‑1]方向平行，其中，所述第三氮化物半导体包括InycAlxcGa1‑xc‑ycN，其中0≤xc≤1，0≤yc≤1，0＜xc+yc≤1，并且其中，所述第三氮化物半导体的在表面侧上的a轴长度比其在所述衬底侧上的a轴长度短。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980150272.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
