[发明专利]含有具有阴离子基的硅的抗蚀剂下层膜形成用组合物有效
| 申请号： | 200980150773.5 | 申请日： | 2009-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102257435A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 柴山亘;中岛诚;菅野裕太 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11;C08G77/14;C08G77/28;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供用于形成可作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法是提供一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含带有阴离子基的硅烷化合物的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，带有阴离子基的硅烷化合物包括带有阴离子基的有机基团与硅原子结合且阴离子基形成盐结构的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物。阴离子基是羧酸根阴离子、苯酚根阴离子、磺酸根阴离子或膦酸根阴离子。水解性有机硅烷是式(1)R1aR2bSi(R3)4-(a+b)。一种组合物，包含上述式(1)的水解性有机硅烷与选自式(2)R4aSi(R5)4-a和式(3)[R6cSi(R7)3-c]2Yb中的至少1种有机硅化合物的混合物、它们的水解物、或它们的水解缩合物。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 具有 阴离子 抗蚀剂 下层 形成 组合 | ||
【主权项】：
一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，是包含带有阴离子基的硅烷化合物的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，该带有阴离子基的硅烷化合物是带有阴离子基的有机基团与硅原子结合且该阴离子基形成盐结构的水解性有机硅烷、其水解物、或其水解缩合物。
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