[发明专利]将高Z焦点轨迹层附着于用作旋转阳极靶的碳-碳复合衬底无效
申请号: | 200980150982.X | 申请日: | 2009-12-14 |
公开(公告)号: | CN102257591A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | M·D·德罗利 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01J35/10 | 分类号: | H01J35/10 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;刘炳胜 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明涉及在旋转阳极类型的X射线管中使用的混合阳极盘结构,并且,更具体地,涉及新型轻质阳极盘结构(RA),该新型轻质阳极盘结构包括沉积于旋转X射线管的阳极靶(AT)上的粘附促进保护碳化硅(SiC)夹层(SCI),其中,该阳极靶可以例如用碳-碳复合衬底(SUB’)制成。此外,提供一种用于将包括高Z材料的涂层(CL)(例如用钨铼合金制成的层)鲁棒地附着于所述阳极靶的表面上的制造方法,于是,根据所述方法,可以预见,在钨铼合金的沉积之前,将例如由钽(Ta)、铪(Hf)、钒(V)或铼(Re)层给予的难熔金属外涂层(RML)施加于碳化硅夹层(SCI)。因而,本发明充分利用热循环期间的碳化硅涂层的碳复合衬底(SUB’)的断裂的趋势,并且,通过联锁机制而提高碳化硅/难熔金属夹层与碳-碳复合衬底(SUB’)和焦点轨迹涂层(CL)的粘附。所提议的发明的关键方面是:a)碳化硅层(SCI)中的涂层裂缝(SC)的受控形成;和b)利用难熔金属来进行的SiC裂缝开口的共形填充。 | ||
搜索关键词: | 焦点 轨迹 附着 用作 旋转 阳极 复合 衬底 | ||
【主权项】:
一种用于旋转阳极类型的X射线管的轻质混合阳极盘结构,所述阳极盘结构具有阳极靶(AT),所述阳极靶(AT)包括: 碳复合衬底盘(SUB’), 粘附促进保护夹层(SCI),其气相沉积于所述阳极靶的倾斜表面(IS)上的环形范围,随后是附着于所述碳化硅夹层的顶部上的难熔金属外涂层(RML),以及 高Z涂层(CL),其沉积于所述难熔金属外涂层(RML)的顶部上,所述涂层在暴露于具有足够的动能的入射X射线束时形成X射线发射焦点轨迹(FT)。
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